微細加工分野では、フォトリソグラフィ、エッチング、薄膜堆積、接合、測定などの装置を操作トレーニング付きで公開するとともに、デバイス構造やプロセス全体の技術相談に応じます。東北大学西澤潤一記念研究センター内の試作コインランドリにおいて実施します。広さ約1,000平米のクリーンルームにおいて、最大6インチウェハに対応するプロセスラインが利用可能です。
| No |
装置名 |
メーカー/型番 |
ウエハサイズ |
仕様/特徴 |
画像 |
洗浄・乾燥 |
A-1 |
エッチングチャンバー |
アズワン PSH1200 |
最大6インチ |
酸洗浄、ウェットエッチング（Si, SiO2, SiO2, 金属など） |
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A-2 |
リン酸槽 |
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SiNウェットエッチング |
A-3 |
CO2 超臨界乾燥機 |
SCFluids CPD1100 |
壊れやすいデバイスの乾燥 |
A-4 |
イナートオーブン（シンター炉） |
ヤマト科学 DN63H |
N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど |
A-5 |
真空オーブン |
ヤマト科学 DP-31 |
真空中での熱処理 |
A-6 |
ブラシスクラバ |
全協化成 |
研磨後のウェハ洗浄 |
A-7 |
スピン乾燥機 |
東邦化成 ZAA-4 |
平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥 |
A-8 |
有機ドラフトチャンバー |
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有機洗浄、レジスト剥離 |
A-9 |
4"スピン
乾燥機 |
SEMITOOL PSC101 |
4インチ |
カセット式で1度に25枚まで処理可能 |
A-10 |
6"スピン
乾燥機 |
SEMITOOL PSC101 |
6インチ |
カセット式で1度に25枚まで処理可能 |
B フォトリソグラフィ |
B-1 |
パターンジェネレータ |
日本精工 TZ-310 |
最大
6インチ角 |
エマルジョンマスク、Crマスクの作製、最小描画パターン：1μm |
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B-2 |
スピンコータ |
ミカサ 1H-DXII |
最大4インチ |
レジスト等のスピンコーティング |
B-3 |
クリーンオーブン |
ヤマト科学 DE62 |
最大6インチ |
ウェハのベーク |
B-4 |
ポリイミドキュア炉 |
ヤマト科学 DN43H |
N2雰囲気中でのポリイミドのキュア |
B-5 |
両面アライナ |
Suss MA6/BA6 |
コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント |
B-6 |
片面アライナ |
キヤノン PLA-501-FA |
4インチ |
コンタクト露光、カセットtoカセットで連続処理可能 |
B-7 |
Raith EB描画装置 |
Raith 50 |
最大3インチ |
最大加速電圧：30keV、最小描画パターン：30nm |
B-8 |
現像ドラフト |
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最大6インチ |
レジスト現像用のドラフトチャンバー |
B-9 |
UV キュア装置 |
ウシオ電機 UMA-802 |
4インチ |
レジストのキュア、カセットtoカセット |
B-10 |
スピンコータ |
アクテス ASC-4000 |
最大6インチ |
レジスト等のスピンコーティング |
B-11 |
スプレー現像装置 |
アクテス ADE-3000S |
現像液とリンス（水）をノズルから噴霧 |
B-12 |
ステッパ |
キヤノン FPA1550M4W |
g線ステッパ、最小描画パターン：約0.6μm、カセットtoカセット（4インチ） |
B-13 |
エリオニクス EB描画装置 |
エリオニクス ELS-G125S |
最大加速電圧：130keV、最小描画パターン：10nm以下 |
B-14 |
レーザ
描画
装置 |
Heidelberg Instruments
DWL2000CE |
最大9インチ角 |
波長：405nm、最小描画線幅：0.7µm、マスク作製（Cr、エマルジョン）、直接描画、グレイスケール露光 |
C 酸化拡散・イオン注入・熱処理 |
C-1 |
酸化炉（半導体用） |
東京エレクトロン XL-7 |
最大6インチ |
酸化膜形成、半導体ウェハ用 |
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C-2 |
酸化炉（MEMS用） |
東京エレクトロン XL-7 |
酸化膜形成、MEMSウェハ用 |
C-3 |
P拡散炉 |
東京エレクトロン XL-7 |
P拡散（プリデポ用） |
C-4 |
P押し込み炉 |
東京エレクトロン XL-7 |
P拡散（ドライブイン用） |
C-5 |
B拡散炉 |
東京エレクトロン XL-7 |
B拡散（プリデポ用） |
C-6 |
B押し込み炉 |
東京エレクトロン XL-7 |
B拡散（ドライブイン用） |
C-7 |
アニール炉 |
東京エレクトロン XL-7 |
イオン注入後のアニール |
C-8 |
中電流イオン注入装置 |
日新イオン機器 NH-20SR |
4インチ |
最大加速電圧：180keV、最大電流：0.6mA、注入可能元素：P、B、カセットtoカセット |
C-9 |
高電流イオン注入装置 |
住友イートンノバ NV-10 AG |
4インチ |
最大加速電圧：80keV、最大電流：6mA |
C-10 |
ランプアニール装置 |
Associates AG4100 |
最大6インチ |
最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット |
C-11 |
メタル拡散炉 |
光洋リンドバーグ Model270 |
最大4インチ |
最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散
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D 成膜 |
D-1 |
LPCVD（SiN） |
システムサービス |
最大6インチ |
SiN |
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D-2 |
LPCVD（Poly-Si） |
システムサービス |
Poly-Si |
D-3 |
LPCVD（SiO2） |
システムサービス |
SiO2（NSG）、SiON |
D-4 |
熱CVD |
国際電気 |
Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度：1100℃ |
D-5 |
住友精密PECVD |
住友精密 MPX-CVD |
最大8インチ |
SiN、SiO2、最高温度：350℃、低応力SiN成膜 |
D-6 |
W-CVD |
Applied Materials P-5000 |
4インチ |
タングステン成膜 |
D-7 |
アネルバスパッタ装置 |
アネルバ SPF-730 |
最大6インチ |
1バッチ9枚（4インチ）、8インチターゲット×3 |
D-8 |
芝浦スパッタ装置 |
芝浦メカトロニクス CFS-4ESII |
最大8インチ |
基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形（最高300℃） |
D-9 |
電子ビーム蒸着装置 |
アネルバ EVC-1501 |
4インチ |
主に金属薄膜の蒸着 |
D-10 |
ゾルゲル自動成膜装置 |
テクノファイン PZ-604 |
最大4インチ |
PZT成膜 |
D-11 |
めっき装置 |
山本鍍金試験器 |
最大6インチ |
Cu、Ni、Sn、Au |
D-12 |
MOCVD |
ワコム研究所 Doctor T |
最大8インチ |
PZT成膜等 |
D-13 |
JPEL PECVD |
日本生産技術研究所
VDS-5600 |
最大6インチ |
SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚 |
| D-14 |
住友精密TEOS PECVD |
住友精密 MPX-CVD |
最大8インチ |
TEOS SiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力SiN成膜 |
| D-15 |
自動搬送 芝浦スパッタ装置 |
芝浦メカトロニクス
!-Miller CFS-4EP-LL |
最大8インチ |
基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形（最高300℃）、ロードロック付、自動搬送付 |
E エッチング |
E-1 |
DeepRIE装置#1 |
住友精密 MUC-21 |
最大6インチ |
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック |
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E-2 |
DeepRIE装置#2 |
住友精密 MUC-21 |
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック |
E-3 |
DeepRIE装置#3 |
STS |
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック |
E-4 |
アネルバRIE装置 |
アネルバ DEA-506 |
SiN、SiO2のドライエッチング、ガス：CF4、CHF3 |
E-5 |
アネルバSi RIE装置 |
アネルバ L-507DL |
Siのドライエッチング、ガス：SF6 |
E-6 |
Al-RIE装置 |
芝浦エレテック HIRRIE-100 |
AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス：Cl2、BCl3 |
E-7 |
アルバック アッシング装置 |
アルバック UNA-2000 |
4インチ |
2.45GHｚ、カセットtoカセット |
E-8 |
ブランソン アッシング装置 |
ブランソン IPC4000 |
最大6インチ |
13.56MHｚ |
E-9 |
ECRエッチング装置 |
アネルバ ECR6001 |
最大3インチ |
ガス：Cl2 |
E-10 |
アルバック多用途RIE装置 |
アルバック RIH-1515Z |
最大6インチ |
金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス：Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2 |
E-11 |
KHOエッチング槽 |
|
最大6インチ |
Si結晶異方性エッチング |
E-12 |
TMAHエッチング槽 |
|
最大6インチ |
Si結晶異方性エッチング |
E-13 |
DeepRIE装置#4 |
住友精密 MUC-21 |
最大8インチ |
Siの深堀エッチング、静電チャック |
E-14 |
イオンミリング装置 |
エヌ・エス／伯東 20IBE-C |
最大6インチ |
Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚 |
F 接合・研磨・パッケージング |
F-1 |
ウェハ接合装置 |
Suss SB6e |
最大6インチ |
陽極接合、金属接合、ポリマー接合 |
|
F-2 |
東京精密 ダイサ |
東京精密 |
切削水：純水 |
F-3 |
ディスコ ダイサ |
ディスコ DAD-522 |
切削水：水道水 |
F-4 |
ワイヤボンダ |
West Bond |
チップ |
Al、Au |
F-5 |
レーザマーカ |
GSI ルモニクス WM-II |
4インチ |
ウェハのマーキング |
F-6 |
6インチウェハ研磨装置 |
BNテクノロジー Bni62 |
最大6インチ |
Si、SiO2、金属などの研磨、CMP |
F-7 |
4インチウェハ研磨装置 |
BNテクノロジー Bni52 |
最大4インチ |
Si、SiO2、金属などの研磨、CMP |
F-8 |
サンドブラスト |
新東 |
最大6インチ |
ガラスの穴あけ加工 |
F-9 |
ＥＶＧ ウェハ接合装置 |
EVG 520 |
8インチ |
熱圧着接合用 |
F-10 |
ＥＶＧ ウェハ接合用アライナ |
EVG Smart View Aligner |
8インチ |
IR透過アライメント可能 |
F-11 |
UVインプリント装置 |
東芝機械 ST-50 |
最大4インチ角 |
UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能 |
F-12 |
熱インプリント装置 |
オリジン電気 Reprina-T50A |
最大2インチ角 |
最大650℃、最大30kN |
F-13 |
エキシマ洗浄装置 |
デアネヒステ EXC-1201-DN |
最大4インチ |
ウェハや石英モールド上の有機物の除去 |
F-14 |
サーフェイスプレナー |
ディスコ DAS8920 |
4、8インチ |
Au、Cuバンプの平坦化 |
G 測定 |
G-1 |
ウェハゴミ検査装置 |
トプコン WM-3 |
最大6インチ
|
ウェハ上のパーティクル測定（数、大きさ） |
|
Ｇ-2 |
膜厚計 |
ナノメトリクス NanoSpec3000 |
光学式の膜厚測定 |
G-3 |
Dektak 段差計 |
Dektak 8 |
触針式の表面形状測定 |
G-4 |
Tenchor 段差計 |
Tenchor AlphaStep 500 |
触針式の表面形状測定 |
G-5 |
深さ測定装置 |
ユニオン光学 Hisomet |
光学式の非接触深さ測定装置 |
G-6 |
4探針測定装置 |
|
ウェハ抵抗率などの測定 |
G-7 |
拡がり抵抗測定装置 |
Solid State Measurements SSM150 |
小片 |
不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定 |
G-8 |
ウェハプローバ |
東京精密 EM-20A |
4インチ |
デバイスの電気特性測定 |
G-9 |
金属顕微鏡 |
ニコン L150 ト |
最大6インチ |
パターン観察 |
G-10 |
デジタル顕微鏡 |
キーエンス／クノーテクノクラフ |
最大8インチ |
パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ（PC制御可）、20〜200倍、500〜5000倍 |
G-11 |
熱電子SEM |
日立 S3700N |
最大
12インチ |
EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付 |
G-12 |
FE-SEM |
日立 S5000 |
小片 |
小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM |
G-13 |
マイクロX線CT |
コムスキャンテクノ ScanXmate D160TS110 |
最大6インチ |
X線を用いた非破壊内部観察 |
G-14 |
エリプソ |
アルバック |
薄膜の厚さ、屈折率測定 |
G-15 |
超音波顕微鏡 |
インサイト IS-350 |
最大
12インチ |
デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等 |
G-16 |
デジタルサーモ顕微鏡 |
アピステ FSV-1200 |
最大6インチ |
熱画像センサ、最小分解能：10μm |
G-17 |
赤外線顕微鏡 |
オリンパス/浜松ホトニクス |
最大6インチ |
両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等 |
G-18 |
四重極質量分析装置 |
キヤノンアネルバ
M-101QA-TDM |
|
プロセス中の残留ガスのモニタ等 |
G-19 |
TOF-SIMS |
CAMECA TOF SIMS IV |
チップ |
二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析 |
G-20 |
クイックコータ |
サンユー電子 SC-701MkII |
最大2インチ |
SEM観察試料のPtコーティング |
G-21 |
走査形プローブ顕微鏡 |
島津製作所 SPM-9700 |
チップ |
表面形状の精密測定 |
G-22 |
卓上型エリプソ |
フォトニックラティス SE-101 |
最大6インチ |
高速サンプリング可能なエリプソ |
G-23 |
大口経AFM |
Digital Instruments
Dimension3100 |
最大12インチ |
大口径ウェハにも対応するAFM |
G-24 |
レーザ/白色共焦点顕微鏡 |
レーザーテック
OPTELICS HYBRID LS-SD |
最大6インチ |
3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光／白色の切替可能、共焦点／非共焦点の切替可能 |
| G-25 |
直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 |
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最大6インチ |
固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定 |
| G-26 |
直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 |
|
最大8インチ |
固体試料のバルク波（縦波、横波）音速測定 |
